SI7461DP-T1-GE3 MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

குறுகிய விளக்கம்:

தயாரிப்பாளர்கள்: விசய்
தயாரிப்பு வகை:MOSFET
தரவுத்தாள்:SI7461DP-T1-GE3
விளக்கம்:MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
RoHS நிலை: RoHS இணக்கமானது


தயாரிப்பு விவரம்

அம்சங்கள்

தயாரிப்பு குறிச்சொற்கள்

♠ தயாரிப்பு விளக்கம்

தயாரிப்பு பண்பு பண்பு மதிப்பு
உற்பத்தியாளர்: விசய்
தயாரிப்பு வகை: MOSFET
RoHS: விவரங்கள்
தொழில்நுட்பம்: Si
மவுண்டிங் ஸ்டைல்: SMD/SMT
தொகுப்பு/கேஸ்: SOIC-8
டிரான்சிஸ்டர் துருவமுனைப்பு: பி-சேனல்
சேனல்களின் எண்ணிக்கை: 1 சேனல்
Vds - வடிகால்-மூல முறிவு மின்னழுத்தம்: 30 வி
ஐடி - தொடர்ச்சியான வடிகால் மின்னோட்டம்: 5.7 ஏ
ஆர்டிஎஸ் ஆன் - வடிகால்-மூல எதிர்ப்பு: 42 mOhms
Vgs - கேட்-மூல மின்னழுத்தம்: - 10 வி, + 10 வி
Vgs th - கேட்-சோர்ஸ் த்ரெஷோல்ட் மின்னழுத்தம்: 1 வி
Qg - கேட் கட்டணம்: 24 என்சி
குறைந்தபட்ச இயக்க வெப்பநிலை: - 55 சி
அதிகபட்ச இயக்க வெப்பநிலை: + 150 சி
Pd - சக்தி சிதறல்: 2.5 W
சேனல் பயன்முறை: விரிவாக்கம்
வர்த்தக பெயர்: TrenchFET
பேக்கேஜிங்: ரீல்
பேக்கேஜிங்: வெட்டு நாடா
பேக்கேஜிங்: மவுஸ்ரீல்
பிராண்ட்: விஷய் செமிகண்டக்டர்ஸ்
கட்டமைப்பு: ஒற்றை
இலையுதிர் காலம்: 30 ns
முன்னோக்கி கடத்தல் - குறைந்தபட்சம்: 13 எஸ்
உற்பத்தி பொருள் வகை: MOSFET
எழுச்சி நேரம்: 42 ns
தொடர்: SI9
தொழிற்சாலை பேக் அளவு: 2500
துணைப்பிரிவு: MOSFETகள்
டிரான்சிஸ்டர் வகை: 1 பி-சேனல்
வழக்கமான டர்ன்-ஆஃப் தாமத நேரம்: 30 ns
வழக்கமான டர்ன்-ஆன் தாமத நேரம்: 14 ns
பகுதி # மாற்றுப்பெயர்கள்: SI9435BDY-E3
அலகு எடை: 750 மி.கி

  • முந்தைய:
  • அடுத்தது:

  • • TrenchFET® சக்தி MOSFETகள்

    • குறைந்த வெப்ப எதிர்ப்பு PowerPAK® தொகுப்பு குறைந்த 1.07 mm profileEC

    தொடர்புடைய தயாரிப்புகள்