FDV301N MOSFET N-Ch டிஜிட்டல்
♠ தயாரிப்பு விளக்கம்
| தயாரிப்பு பண்பு | பண்பு மதிப்பு |
| உற்பத்தியாளர்: | ஒன்செமி |
| தயாரிப்பு வகை: | MOSFET |
| RoHS: | விவரங்கள் |
| தொழில்நுட்பம்: | Si |
| மவுண்டிங் ஸ்டைல்: | SMD/SMT |
| தொகுப்பு / வழக்கு: | SOT-23-3 |
| டிரான்சிஸ்டர் துருவமுனைப்பு: | என்-சேனல் |
| சேனல்களின் எண்ணிக்கை: | 1 சேனல் |
| Vds - வடிகால்-மூல முறிவு மின்னழுத்தம்: | 25 வி |
| ஐடி - தொடர்ச்சியான வடிகால் மின்னோட்டம்: | 220 எம்.ஏ |
| ஆர்டிஎஸ் ஆன் - வடிகால்-மூல எதிர்ப்பு: | 5 ஓம்ஸ் |
| Vgs - கேட்-மூல மின்னழுத்தம்: | - 8 வி, + 8 வி |
| Vgs th - கேட்-சோர்ஸ் த்ரெஷோல்ட் மின்னழுத்தம்: | 700 எம்.வி |
| Qg - கேட் கட்டணம்: | 700 பிசி |
| குறைந்தபட்ச இயக்க வெப்பநிலை: | - 55 சி |
| அதிகபட்ச இயக்க வெப்பநிலை: | + 150 சி |
| Pd - சக்தி சிதறல்: | 350 மெகாவாட் |
| சேனல் பயன்முறை: | விரிவாக்கம் |
| பேக்கேஜிங்: | ரீல் |
| பேக்கேஜிங்: | வெட்டு நாடா |
| பேக்கேஜிங்: | மவுஸ்ரீல் |
| பிராண்ட்: | onsemi / Fairchild |
| கட்டமைப்பு: | ஒற்றை |
| இலையுதிர் காலம்: | 6 ns |
| முன்னோக்கி கடத்தல் - குறைந்தபட்சம்: | 0.2 எஸ் |
| உயரம்: | 1.2 மி.மீ |
| நீளம்: | 2.9 மி.மீ |
| தயாரிப்பு: | MOSFET சிறிய சமிக்ஞை |
| உற்பத்தி பொருள் வகை: | MOSFET |
| எழுச்சி நேரம்: | 6 ns |
| தொடர்: | FDV301N |
| தொழிற்சாலை பேக் அளவு: | 3000 |
| துணைப்பிரிவு: | MOSFETகள் |
| டிரான்சிஸ்டர் வகை: | 1 என்-சேனல் |
| வகை: | FET |
| வழக்கமான டர்ன்-ஆஃப் தாமத நேரம்: | 3.5 ns |
| வழக்கமான டர்ன்-ஆன் தாமத நேரம்: | 3.2 ns |
| அகலம்: | 1.3 மி.மீ |
| பகுதி # மாற்றுப்பெயர்கள்: | FDV301N_NL |
| அலகு எடை: | 0.000282 அவுன்ஸ் |
♠ டிஜிட்டல் FET, N-Channel FDV301N, FDV301N-F169
இந்த N−Channel லாஜிக் லெவல் மேம்பாடு மோட் ஃபீல்ட் எஃபெக்ட் டிரான்சிஸ்டர் ஒன்செமியின் தனியுரிம, உயர் செல் அடர்த்தி, DMOS தொழில்நுட்பத்தைப் பயன்படுத்தி தயாரிக்கப்படுகிறது.இந்த மிக அதிக அடர்த்தி செயல்முறை குறிப்பாக ஆன்-ஸ்டேட் எதிர்ப்பைக் குறைக்க வடிவமைக்கப்பட்டுள்ளது.டிஜிட்டல் டிரான்சிஸ்டர்களுக்கு மாற்றாக இந்த சாதனம் குறிப்பாக குறைந்த மின்னழுத்த பயன்பாடுகளுக்காக வடிவமைக்கப்பட்டுள்ளது.பயாஸ் ரெசிஸ்டர்கள் தேவையில்லை என்பதால், இந்த ஒரு N− சேனல் FET ஆனது பல்வேறு சார்பு மின்தடை மதிப்புகளுடன் பல்வேறு டிஜிட்டல் டிரான்சிஸ்டர்களை மாற்றும்.
• 25 V, 0.22 A தொடர்ச்சி, 0.5 A உச்சம்
♦ RDS(on) = 5 @ VGS = 2.7 V
♦ RDS(on) = 4 @ VGS = 4.5 V
• மிகக் குறைந்த அளவிலான கேட் டிரைவ் தேவைகள் 3 V சர்க்யூட்களில் நேரடி இயக்கத்தை அனுமதிக்கிறது.VGS(th) < 1.06 V
• ஈஎஸ்டி முரட்டுத்தனத்திற்கான கேட்−மூல ஜீனர்.> 6 kV மனித உடல் மாதிரி
• பல NPN டிஜிட்டல் டிரான்சிஸ்டர்களை ஒரு DMOS FET மூலம் மாற்றவும்
• இந்தச் சாதனம் Pb−இலவசமானது மற்றும் ஹாலைடு இலவசம்
