SI2305CDS-T1-GE3 MOSFET -8V Vds 8V Vgs SOT-23

குறுகிய விளக்கம்:

உற்பத்தியாளர்கள்: விஷே / சிலிகானிக்ஸ்
தயாரிப்பு வகை: டிரான்சிஸ்டர்கள் - FETகள், MOSFETகள் - ஒற்றை
தரவுத்தாள்:SI2305CDS-T1-GE3
விளக்கம்: MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
RoHS நிலை: RoHS இணக்கமானது

எங்களுக்கு மின்னஞ்சல் அனுப்பவும்

தயாரிப்பு விவரம்

அம்சங்கள்

விண்ணப்பங்கள்

தயாரிப்பு குறிச்சொற்கள்

♠ தயாரிப்பு விளக்கம்

தயாரிப்பு பண்பு	பண்பு மதிப்பு
உற்பத்தியாளர்:	விசய்
தயாரிப்பு வகை:	MOSFET
தொழில்நுட்பம்:	Si
மவுண்டிங் ஸ்டைல்:	SMD/SMT
தொகுப்பு / வழக்கு:	SOT-23-3
டிரான்சிஸ்டர் துருவமுனைப்பு:	பி-சேனல்
சேனல்களின் எண்ணிக்கை:	1 சேனல்
Vds - வடிகால்-மூல முறிவு மின்னழுத்தம்:	8 வி
ஐடி - தொடர்ச்சியான வடிகால் மின்னோட்டம்:	5.8 ஏ
ஆர்டிஎஸ் ஆன் - வடிகால்-மூல எதிர்ப்பு:	35 mOhms
Vgs - கேட்-மூல மின்னழுத்தம்:	- 8 வி, + 8 வி
Vgs th - கேட்-சோர்ஸ் த்ரெஷோல்ட் மின்னழுத்தம்:	1 வி
Qg - கேட் கட்டணம்:	12 என்சி
குறைந்தபட்ச இயக்க வெப்பநிலை:	- 55 சி
அதிகபட்ச இயக்க வெப்பநிலை:	+ 150 சி
Pd - சக்தி சிதறல்:	1.7 டபிள்யூ
சேனல் பயன்முறை:	விரிவாக்கம்
வர்த்தக பெயர்:	TrenchFET
பேக்கேஜிங்:	ரீல்
பேக்கேஜிங்:	வெட்டு நாடா
பேக்கேஜிங்:	மவுஸ்ரீல்
பிராண்ட்:	விஷய் செமிகண்டக்டர்ஸ்
கட்டமைப்பு:	ஒற்றை
இலையுதிர் காலம்:	10 ns
உயரம்:	1.45 மி.மீ
நீளம்:	2.9 மி.மீ
உற்பத்தி பொருள் வகை:	MOSFET
எழுச்சி நேரம்:	20 ns
தொடர்:	SI2
தொழிற்சாலை பேக் அளவு:	3000
துணைப்பிரிவு:	MOSFETகள்
டிரான்சிஸ்டர் வகை:	1 பி-சேனல்
வழக்கமான டர்ன்-ஆஃப் தாமத நேரம்:	40 ns
வழக்கமான டர்ன்-ஆன் தாமத நேரம்:	20 ns
அகலம்:	1.6 மி.மீ
பகுதி # மாற்றுப்பெயர்கள்:	SI2305CDS-T1-BE3 SI2305CDS-GE3
அலகு எடை:	0.000282 அவுன்ஸ்