NTZD3154NT1G MOSFET 20V 540mA Dual N-Channel w/ESD
♠ தயாரிப்பு விளக்கம்
| தயாரிப்பு பண்பு | பண்பு மதிப்பு |
| உற்பத்தியாளர்: | ஒன்செமி |
| தயாரிப்பு வகை: | MOSFET |
| தொழில்நுட்பம்: | Si |
| மவுண்டிங் ஸ்டைல்: | SMD/SMT |
| தொகுப்பு / வழக்கு: | SOT-563-6 |
| டிரான்சிஸ்டர் துருவமுனைப்பு: | என்-சேனல் |
| சேனல்களின் எண்ணிக்கை: | 2 சேனல் |
| Vds - வடிகால்-மூல முறிவு மின்னழுத்தம்: | 20 வி |
| ஐடி - தொடர்ச்சியான வடிகால் மின்னோட்டம்: | 570 எம்.ஏ |
| ஆர்டிஎஸ் ஆன் - வடிகால்-மூல எதிர்ப்பு: | 550 mOhms, 550 mOhms |
| Vgs - கேட்-மூல மின்னழுத்தம்: | - 7 வி, + 7 வி |
| Vgs th - கேட்-சோர்ஸ் த்ரெஷோல்ட் மின்னழுத்தம்: | 450 எம்.வி |
| Qg - கேட் கட்டணம்: | 1.5 என்சி |
| குறைந்தபட்ச இயக்க வெப்பநிலை: | - 55 சி |
| அதிகபட்ச இயக்க வெப்பநிலை: | + 150 சி |
| Pd - சக்தி சிதறல்: | 280 மெகாவாட் |
| சேனல் பயன்முறை: | விரிவாக்கம் |
| பேக்கேஜிங்: | ரீல் |
| பேக்கேஜிங்: | வெட்டு நாடா |
| பேக்கேஜிங்: | மவுஸ்ரீல் |
| பிராண்ட்: | ஒன்செமி |
| கட்டமைப்பு: | இரட்டை |
| இலையுதிர் காலம்: | 8 ns, 8 ns |
| முன்னோக்கி கடத்தல் - குறைந்தபட்சம்: | 1 எஸ், 1 எஸ் |
| உயரம்: | 0.55 மி.மீ |
| நீளம்: | 1.6 மி.மீ |
| தயாரிப்பு: | MOSFET சிறிய சமிக்ஞை |
| உற்பத்தி பொருள் வகை: | MOSFET |
| எழுச்சி நேரம்: | 4 ns, 4 ns |
| தொடர்: | NTZD3154N |
| தொழிற்சாலை பேக் அளவு: | 4000 |
| துணைப்பிரிவு: | MOSFETகள் |
| டிரான்சிஸ்டர் வகை: | 2 என்-சேனல் |
| வழக்கமான டர்ன்-ஆஃப் தாமத நேரம்: | 16 ns, 16 ns |
| வழக்கமான டர்ன்-ஆன் தாமத நேரம்: | 6 ns, 6 ns |
| அகலம்: | 1.2 மி.மீ |
| அலகு எடை: | 0.000106 அவுன்ஸ் |
• குறைந்த RDS(ஆன்) கணினி செயல்திறனை மேம்படுத்துதல்
• குறைந்த வாசல் மின்னழுத்தம்
• சிறிய தடம் 1.6 x 1.6 மிமீ
• ESD பாதுகாக்கப்பட்ட கேட்
• இந்த சாதனங்கள் Pb−Free, Halogen Free/BFR இலவசம் மற்றும் RoHS இணக்கமானவை
• சுமை/பவர் சுவிட்சுகள்
• பவர் சப்ளை மாற்றி சுற்றுகள்
• பேட்டரி மேலாண்மை
• செல்போன்கள், டிஜிட்டல் கேமராக்கள், பிடிஏக்கள், பேஜர்கள் போன்றவை.
