IPD50N04S4-10 MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
♠ தயாரிப்பு விளக்கம்
| தயாரிப்பு பண்பு | பண்பு மதிப்பு |
| உற்பத்தியாளர்: | இன்ஃபினியன் |
| தயாரிப்பு வகை: | MOSFET |
| RoHS: | விவரங்கள் |
| தொழில்நுட்பம்: | Si |
| மவுண்டிங் ஸ்டைல்: | SMD/SMT |
| தொகுப்பு/கேஸ்: | TO-252-3 |
| டிரான்சிஸ்டர் துருவமுனைப்பு: | என்-சேனல் |
| சேனல்களின் எண்ணிக்கை: | 1 சேனல் |
| Vds - வடிகால்-மூல முறிவு மின்னழுத்தம்: | 40 வி |
| ஐடி - தொடர்ச்சியான வடிகால் மின்னோட்டம்: | 50 ஏ |
| ஆர்டிஎஸ் ஆன் - வடிகால்-மூல எதிர்ப்பு: | 9.3 mOhms |
| Vgs - கேட்-மூல மின்னழுத்தம்: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - கேட்-சோர்ஸ் த்ரெஷோல்ட் மின்னழுத்தம்: | 3 வி |
| Qg - கேட் கட்டணம்: | 18.2 என்சி |
| குறைந்தபட்ச இயக்க வெப்பநிலை: | - 55 சி |
| அதிகபட்ச இயக்க வெப்பநிலை: | + 175 சி |
| Pd - சக்தி சிதறல்: | 41 டபிள்யூ |
| சேனல் பயன்முறை: | விரிவாக்கம் |
| தகுதி: | AEC-Q101 |
| வர்த்தக பெயர்: | OptiMOS |
| பேக்கேஜிங்: | ரீல் |
| பேக்கேஜிங்: | வெட்டு நாடா |
| பிராண்ட்: | இன்ஃபினியன் டெக்னாலஜிஸ் |
| கட்டமைப்பு: | ஒற்றை |
| இலையுதிர் காலம்: | 5 ns |
| உயரம்: | 2.3 மி.மீ |
| நீளம்: | 6.5 மி.மீ |
| உற்பத்தி பொருள் வகை: | MOSFET |
| எழுச்சி நேரம்: | 7 ns |
| தொடர்: | OptiMOS-T2 |
| தொழிற்சாலை பேக் அளவு: | 2500 |
| துணைப்பிரிவு: | MOSFETகள் |
| டிரான்சிஸ்டர் வகை: | 1 என்-சேனல் |
| வழக்கமான டர்ன்-ஆஃப் தாமத நேரம்: | 4 ns |
| வழக்கமான டர்ன்-ஆன் தாமத நேரம்: | 5 ns |
| அகலம்: | 6.22 மி.மீ |
| பகுதி # மாற்றுப்பெயர்கள்: | IPD5N4S41XT SP000711466 IPD50N04S410ATMA1 |
| அலகு எடை: | 330 மி.கி |
• N-சேனல் - மேம்படுத்தல் முறை
• AEC தகுதி பெற்றது
• MSL1 260°C வரை உச்சநிலை மறுபயன்பாடு
• 175°C இயக்க வெப்பநிலை
• பசுமை தயாரிப்பு (RoHS இணக்கமானது)
• 100% பனிச்சரிவு சோதனை செய்யப்பட்டது
